출원번호 : 1020020066629  (2002.10.30)
등록일자 : 
출원인 : 주식회사 실트론
IPC : C30B 15/14
초록 : 본 발명은 실리콘 단결정을 성장시키는 실리콘 잉곳의 성장 장치에 관한 것으로, 특히, 실리콘 잉곳의 수율에 영향을 미치는 용융 실리콘 표면의 마랑고니 흐름을 제어한 실리콘 잉곳의 성장 장치에 관한 것이다. 본 발명인 실리콘 잉곳의 성장 장치는 폴리 실리콘을 적재하여 용융하는 석영도가니와, 상기 석영 도가니에 열을 가하기 위한 히터부와, 상기 히터부로부터의 열이 외부로 유출되는 것을 차단하는 열차폐수단을 포함하여 이루어진 챔버부와, 상기 석영 도가니에 용융된 폴리 실리콘으로부터 실리콘 단결정 잉곳을 성장 인상시키는 실리콘 잉곳 인상 장치를 포함하여 이루어진 성장탑부를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치에 있어서, 상기 석영 도가니 내부에 용융되어 있는 용융 실리콘의 상부면으로부터 일정 거리 이격되어 설치된 압력 플레이트(PLATE)를 포함하여 이루어진다. 그리고, 상기 압력 플레이트는 전체 지름이 상기 석영도가니의 내면 지름보다 작게 형성되고, 내부에 실리콘 잉곳이 통과 할 수 있도록 실리콘 잉곳의 지름보다 큰 중공이 형성되고, 상기 압력플레이트의 상부면에는 지지대 결합부가 형성되어 이루어지며, 일단이 상기 압력 플레이트의 상부면에 형성된 지지대 결합부와 결합되고, 타단이 상기 챔버부의 내부의 열차폐 수단의 상단부에 결합 설치된 압력 플레이트 지지대를 포함하여 이루어진 것이 바람직하다. 또, 상기 압력 플레이트는 투명한 석영 유리로 형성된 것이 더욱 바람직하며, 또한, 상기 압력 플레이트는 상기 석영 도가니 내부의 용융 실리콘의 표면으로부터 10 내지 100㎜ 이격되어 설치된 것이 더욱 바람직하다.